三星在华建40亿美元闪存芯片厂获韩政府批准

该计划目前还尚需获得中国商务部门的审批

三星公司旗帜。 PARK JI-HWAN / 东方IC

【财新网(微博)】路透社3日消息，三星拟耗资40亿美元在华建立闪存芯片厂的计划已获得韩国政府的批准。

为防止高新技术的外泄，韩国企业在国外设厂需获得韩国相关部门的审批。此前2011年12月3日，三星便已对外宣布，为应对智能手机和平板电脑需求的强劲增长，公司拟计划在中国建立一家NAND闪存芯片厂，该工厂预计到2013年正式投产。

路透社援引Gartner公司的研究数据称，目前中国市场对NAND闪存的需求约占全球闪存市场的一半，预计2012年中国NAND闪存市场的规模将达290亿美元，到2015年，中国市场NAND闪存需求将上升到全球总需求的55% ，而需求的增长主要是由中国手机制造商如华为和中兴所拉动。

目前，三星是全球最大的NAND闪存芯片制造商，市场占有率约为40%。三星尚未透漏该工厂的具体建设地点。如果最终建厂顺利，该厂将成为三星在韩国本土之外第二个芯片工厂。

另外，该计划目前还尚需获得中国商务部门的审批，方能开工建设。