中国首款自主知识产权相变存储器芯片研制成功

　　国际在线消息：中国科学院上海微系统与信息技术研究所17日透露，中国第一款具有自主知识产权的相变存储器(PCRAM)芯片研制成功，产业化前景可观。

　　研究人员介绍，PCRAM试验芯片存储容量为8Mb。经语音演示，已证实该芯片可实现读、写、擦的存储器全部功能。截至2010年底，这款PCRAM相变存储器已经获得50多项发明专利授权，相关专利分布涵盖从材料、结构工艺、设计到测试的芯片生产全部流程。

　　专家表示，这款芯片具有微缩性能优越、循环寿命长、数据稳定性强、功耗低等诸多优势，可广泛应用于手机存储、射频识别等多种消费型电子产品中。预计这款存储器将于今年年内投入量产，中国计划在10年内将存储器自给率提高到60%。

　　相比于传统存储器利用电荷形式进行存储，相变存储器主要利用可逆相变材料晶态和非晶态的导电性差异实现存储。目前，英特尔、三星等国际知名半导体公司均在PCRAM产业化进程中取得有效进展。