赶搭太阳能热潮　英飞凌押宝SiC/GaN-on-Si

中国化工资讯网2月11讯
　
　　为减少太阳能电力消耗，英飞凌(Infineon)领军的NEULAND研究计划将针对碳化矽(SiC)与矽基板氮化镓(GaN-on-Si)，开发出适用于再生能源及其他适用领域的节能、低成本、简易使用、高可靠度及相容于既有制造晶圆制造技术的功率半导体。

　　台湾英飞凌协理田经曾指出，尽管产业界各自押宝SiC和GaN-on-Si，英飞凌仍不会改变并进研发的初衷。台湾英飞凌协理田经曾表示，NEULAND研究计划预定将于2013年中完成SiC和GaN-on-Si在省能/低成本、简化下游应用使用、高稳定性与可承接现有晶圆制程技术四大项目探究，待四大项目成熟后，功率半导体产品即可望上市。

　　由于能源消耗量与日俱增，需要新的功率半导体材料以符合降低功率消耗的要求，加上SiC与GaN-on-Si两大功率半导体材料在产业界各有拥护者，遂使英飞凌计划主导，且在德国联邦教育与研究部(BMBF)的资助下，发展利用宽能隙化合物半导体，提供高效能、低成本效益的创新再生能源电源装置。田经曾强调，SiC及GaN-on-Si各有利基市场，因此英飞凌皆会深入研发，未来主要系使用在再生能源领域，初期则以太阳能为主力市场，同时亦会探索其他SiC、GaN-on-Si适用的应用市场。

　　现阶段，结晶矽太阳能面板成本比重颇高，然发电效率仅20～30%，田经曾指出，逆变器占太阳能系统成本比例较小，然更节能的电源效率可达97～99%，故若将逆变器的损耗降低50%，则有助于太阳能系统市场普及度。由于太阳能面板发电效率已达极限，若欲提升1%的效率，耗费的资金高昂，遂使太阳能逆变器在系统的角色益发突显，将成为功率半导体厂商兵家必争之地。

　　目前NEULAND计划已可减少光电逆变器能损达50%，此借助于SiC与氮化镓(GaN)-on-Si制程的创新半导体元件，未来亦可用于桌上型与笔记型电脑、平面电视、伺服器、电信系统的开关式电源供应器零件。预期将有更多半导体业者争相进驻此一领域。