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塑料基底晶体管在美研制成功家组织网1月27日报道，美国佐治亚理工大学研究人员最近开发出一种双层界面新型晶体管，性能极为稳定，还能在可控的环境中，以低于150摄氏度的条件在塑料基底上大量/channels/lightindustry/20110217/554526.html 0K 2011-02-17 韩国称较早提出3D晶体管技术专利申请。英特尔发表的3D垫晶体制程技术可增加晶体管通道数量，增加电流量，电流流失与目前的2D晶体管相比显著减少，大幅提升其效率。此外，此3D晶体管技术也适合用在微细制/channels/nmn/20110527/693843.html 0K 2011-05-27 高性能氮化镓晶体管研制成功-硅晶圆上制成。这表明，新晶体管能同由（110）-硅制成的CMOS芯片兼容，科学家可据此研制出兼具CMOS芯片的计算能力和氮化镓晶体管大功率容量的混合电子元件，/channels/nmn/20110926/846174.html 1K 2011-09-26 新式晶体管能传输质子流，有望开发新设备质子流可以被打开或关闭。这种方式完全能比拟任何其他的场效应晶体管中的电子流。罗兰蒂说。关于这种晶体管的应用，罗兰蒂说，在下个10年左右很可能出现实验室用的细胞/channels/nmn/20111025/875574.html 0K 2011-10-25 科学家研发石墨烯晶体管便捷制造方法门，最终，他们制造出了一个能起作用的晶体管。因为科学家们为了研究方便按比例放大了晶体管的尺寸，所以他们现在仍然不知道新晶体管的运行速度实际上会增加多少；也不知道/channels/nmn/20120727/1212909.html 0K 2012-07-27 英特尔拟推新款3D晶体管手机芯片商提供新款采用3D晶体管的高性能Atom智能手机芯片，设备厂商将对这款芯片在手机中的使用情况进行测试。英特尔发言人表示，与英特尔现有手机芯片相比，这款代号为M/channels/it/20130226/1421719.html 1K 2013-02-26 美研制出新型“4维”晶体管。创建更小的晶体管也需要找到一种新型绝缘体作为介质层来使“门”关闭。据称，当“门”的长度小于14纳米时，传统晶体管使用的介质就无法正常工作，晶体管关闭时会发生/channels/nmn/20121207/1357511.html 1K 2012-12-07 棉纤维造成功制造晶体管国、法国和意大利科学家组成的国际科研团队使用天然棉纤维制造出了晶体管。该国际科研团队在制造晶体管的过程中使用了一项新技术，以棉为衬底，利用金纳米粒子、半导体聚/channels/cloth/20111101/884238.html 0K 2011-11-01 新式晶体管能传输质子流 有望开发新设备以被打开或关闭。这种方式完全能比拟任何其他的场效应晶体管中的电子流。”罗兰蒂说。 关于这种晶体管的应用，罗兰蒂说，在下个10年左右很可能出现实验室/channels/pharm/20111018/868084.html 0K 2011-10-18 电路板晶体管存故障，丰田召回11万辆混合动力车SUSA）6月29日（周三）在声明中表示，此次召回涉及的车型中，有部分汽车的晶体管焊接不够牢固，可能造成汽车在高负荷行驶时受热损坏。据了解，大部分情况下，问题/channels/nmn/20110630/738660.html 0K 2011-06-30 英特尔采用3D晶体管技术开发全新凌动芯片架构售。采用3D晶体管技术的Silvermont在整合度、性能和效能比方面将达到一个全新的水平。与未来所有的凌动芯片一样，Silvermont也采用片上系统设计。/channels/nmn/20110517/679034.html 0K 2011-05-17 塑料基底晶体管在美国研制成功家组织网1月27日报道，美国佐治亚理工大学研究人员最近开发出一种双层界面新型晶体管，性能极为稳定，还能在可控的环境中，以低于150摄氏度的条件在塑料基底上大量/channels/nmn/20110216/552591.html 0K 2011-02-16 松下开发出GaN晶体管耐压提高5倍技术了GaN功率晶体管的耐压只取决于GaN膜耐压的原因，并对该问题产生的原因——流过硅基板和GaN表面的泄漏电流进行了抑制，从而提高了GaN功率晶体管的耐压。结果/channels/homea/20101210/466712.html 0K 2010-12-10
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