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塑料基底晶体管在美研制成功家组织网1月27日报道，美国佐治亚理工大学研究人员最近开发出一种双层界面新型晶体管，性能极为稳定，还能在可控的环境中，以低于150摄氏度的条件在塑料基底上大量/channels/lightindustry/20110217/554526.html 0K 2011-02-17 韩国称较早提出3D晶体管技术专利申请。英特尔发表的3D垫晶体制程技术可增加晶体管通道数量，增加电流量，电流流失与目前的2D晶体管相比显著减少，大幅提升其效率。此外，此3D晶体管技术也适合用在微细制/channels/nmn/20110527/693843.html 0K 2011-05-27 高性能氮化镓晶体管研制成功-硅晶圆上制成。这表明，新晶体管能同由（110）-硅制成的CMOS芯片兼容，科学家可据此研制出兼具CMOS芯片的计算能力和氮化镓晶体管大功率容量的混合电子元件，/channels/nmn/20110926/846174.html 1K 2011-09-26 新式晶体管能传输质子流，有望开发新设备质子流可以被打开或关闭。这种方式完全能比拟任何其他的场效应晶体管中的电子流。罗兰蒂说。关于这种晶体管的应用，罗兰蒂说，在下个10年左右很可能出现实验室用的细胞/channels/nmn/20111025/875574.html 0K 2011-10-25 科学家研发石墨烯晶体管便捷制造方法门，最终，他们制造出了一个能起作用的晶体管。因为科学家们为了研究方便按比例放大了晶体管的尺寸，所以他们现在仍然不知道新晶体管的运行速度实际上会增加多少；也不知道/channels/nmn/20120727/1212909.html 0K 2012-07-27 英特尔拟推新款3D晶体管手机芯片Trail+的新客户。Merrifield将采用22纳米制造工艺生产，把3D晶体管带到智能手机中。英特尔在生产笔记本电脑和台式电脑芯片中同样采用了22纳米制造/channels/it/20130226/1421719.html 1K 2013-02-26 美研制出新型“4维”晶体管就越多，晶体管也一样。”他说，“将晶体管堆叠起来，就能带来通过电流更多、操作速度更快的高速运算。这种方法增加了一个全新的层面，因此我称之为4维。”晶体管通过“门/channels/nmn/20121207/1357511.html 1K 2012-12-07 棉纤维造成功制造晶体管国、法国和意大利科学家组成的国际科研团队使用天然棉纤维制造出了晶体管。该国际科研团队在制造晶体管的过程中使用了一项新技术，以棉为衬底，利用金纳米粒子、半导体聚/channels/cloth/20111101/884238.html 0K 2011-11-01 新式晶体管能传输质子流 有望开发新设备以被打开或关闭。这种方式完全能比拟任何其他的场效应晶体管中的电子流。”罗兰蒂说。 关于这种晶体管的应用，罗兰蒂说，在下个10年左右很可能出现实验室/channels/pharm/20111018/868084.html 0K 2011-10-18 电路板晶体管存故障，丰田召回11万辆混合动力车SUSA）6月29日（周三）在声明中表示，此次召回涉及的车型中，有部分汽车的晶体管焊接不够牢固，可能造成汽车在高负荷行驶时受热损坏。据了解，大部分情况下，问题/channels/nmn/20110630/738660.html 0K 2011-06-30 英特尔采用3D晶体管技术开发全新凌动芯片架构年晚些时候将升级到32纳米。上述消息人士称，尽管细节还不清楚，Silvermont旨在利用22纳米工艺和3D晶体管技术。预计英特尔将在本周的分析师会议上披露更多/channels/nmn/20110517/679034.html 0K 2011-05-17 塑料基底晶体管在美国研制成功家组织网1月27日报道，美国佐治亚理工大学研究人员最近开发出一种双层界面新型晶体管，性能极为稳定，还能在可控的环境中，以低于150摄氏度的条件在塑料基底上大量/channels/nmn/20110216/552591.html 0K 2011-02-16 松下开发出GaN晶体管耐压提高5倍技术了GaN功率晶体管的耐压只取决于GaN膜耐压的原因，并对该问题产生的原因——流过硅基板和GaN表面的泄漏电流进行了抑制，从而提高了GaN功率晶体管的耐压。结果/channels/homea/20101210/466712.html 0K 2010-12-10
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