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塑料基底晶体管在美研制成功
日报道,美国佐治亚理工大学研究人员最近开发出一种双层界面新型晶体管,性能极为稳定,还能在可控的环境,以低于150摄氏度的条件在塑料基底上大量生产,因此可用于柔
/channels/lightindustry/20110217/554526.html 0K 2011-02-17
韩国称较早提出3D晶体管技术专利申请
。英特尔发表的3D垫晶体制程技术可增加晶体管通道数量,增加电流量,电流流失与目前的2D晶体管相比显著减少,大幅提升其效率。此外,此3D晶体管技术也适合用在微细制
/channels/nmn/20110527/693843.html 0K 2011-05-27
高性能氮化镓晶体管研制成功
更耐热、能效更高的晶体管。因为氮化镓和硅这两种材料的属性不同,很难将两者结合在一个晶圆上,并且在加热过程可能也会产生裂痕。不过,在最新研究,博罗内斯和法国国
/channels/nmn/20110926/846174.html 1K 2011-09-26
新式晶体管能传输质子流,有望开发新设备
。“在我们的设备,生物激发分子能移动质子,质子流可以被打开或关闭。这种方式完全能比拟任何其他的场效应晶体管的电子流。罗兰蒂说。关于这种晶体管的应用,罗兰蒂说
/channels/nmn/20111025/875574.html 0K 2011-10-25
科学家研发石墨烯晶体管便捷制造方法
氧气能将间隧道从触头转变为门,最终,他们制造出了一个能起作用的晶体管。因为科学家们为了研究方便按比例放大了晶体管的尺寸,所以他们现在仍然不知道新晶体管的运行速
/channels/nmn/20120727/1212909.html 0K 2012-07-27
英特尔拟推新款3D晶体管手机芯片
rrifield将采用22纳米制造工艺生产,把3D晶体管带到智能手机。英特尔在生产笔记本电脑和台式电脑芯片同样采用了22纳米制造工艺,并称这种工艺可大幅提升
/channels/it/20130226/1421719.html 1K 2013-02-26
美研制出新型“4维”晶体管
(音译)表示,若想进一步改进3维晶体管,很可能需要用其他材料来取代硅,其最有前途的包括半导体材料砷化铟镓。新型“4维”晶体管的3根微型纳米线,正是由极具潜力
/channels/nmn/20121207/1357511.html 1K 2012-12-07
棉纤维造成功制造晶体管
法国和意大利科学家组成的国际科研团队使用天然棉纤维制造出了晶体管。该国际科研团队在制造晶体管的过程使用了一项新技术,以棉为衬底,利用金纳米粒子、半导体聚合物
/channels/cloth/20111101/884238.html 0K 2011-11-01
新式晶体管能传输质子流 有望开发新设备
的设备,生物激发分子能移动质子,质子流可以被打开或关闭。这种方式完全能比拟任何其他的场效应晶体管的电子流。”罗兰蒂说。 关于这种晶体管的应用
/channels/pharm/20111018/868084.html 0K 2011-10-18
电路板晶体管存故障,丰田召回11万辆混合动力车
丰田汽车销售公司(TMSUSA)6月29日(周三)在声明表示,此次召回涉及的车型,有部分汽车的晶体管焊接不够牢固,可能造成汽车在高负荷行驶时受热损坏。据了解
/channels/nmn/20110630/738660.html 0K 2011-06-30
英特尔采用3D晶体管技术开发全新凌动芯片架构
年晚些时候将升级到32纳米。上述消息人士称,尽细节还不清楚,Silvermont旨在利用22纳米工艺和3D晶体管技术。预计英特尔将在本周的分析师会议上披露更多
/channels/nmn/20110517/679034.html 0K 2011-05-17
塑料基底晶体管在美国研制成功
日报道,美国佐治亚理工大学研究人员最近开发出一种双层界面新型晶体管,性能极为稳定,还能在可控的环境,以低于150摄氏度的条件在塑料基底上大量生产,因此可用于柔
/channels/nmn/20110216/552591.html 0K 2011-02-16
松下开发出GaN晶体管耐压提高5倍技术
明了GaN功率晶体管的耐压只取决于GaN膜耐压的原因,并对该问题产生的原因——流过硅基板和GaN表面的泄漏电流进行了抑制,从而提高了GaN功率晶体管的耐压。结
/channels/homea/20101210/466712.html 0K 2010-12-10
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