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日本制成耐2万伏超高压的半导体器件
开发出可耐2万伏超高压的半导体器件。10月23日该研究组宣布了这一消息。该研究小组于今年6月已开发出可耐2万伏超高压的半导体二极管器件,随后又成功对超高压环境
/channels/nmn/20121114/1334960.html 0K 2012-11-14
日本制成耐2万伏超高压的半导体器件
开发出可耐2万伏超高压的半导体器件。10月23日该研究组宣布了这一消息。该研究小组于今年6月已开发出可耐2万伏超高压的半导体二极管器件,随后又成功对超高压环境
/channels/nmn/20121114/1334783.html 0K 2012-11-14
意法汽车半导体推出业界首款单片定位器件
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/channels/nmn/20110215/550851.html 0K 2011-02-15
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/cms/2014/0904/1442067.html 1K 2014-09-04
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