梁辉南博士（左）、王荣华博士（右）、高珺博士（中）茶歇室休息聊天（4月1日摄）。题：拥抱“中国机遇” 实现人生价值——三博士归国创业记
新华社记者 于力、白涌泉
在大连芯冠科技有限公司的厂房里，三位海归博士在密切关注着机器的“一举一动”。这是一家初创型企业，同时也是国家“最具成长潜力的留学人员创业企业”和第三代半导体领军企业。
2015年，对于在海外留学、工作多年的梁辉南、王荣华与高珺三位博士来说，是人生的一个转折点。
当年6月，受大连高新区管委会的邀请，他们回国参与关于第三代半导体项目论证。看到祖国日新月异的发展和良好的创新创业环境后，他们萌生了回国创业的想法。
已到不惑之年的梁辉南是三人之中年龄最大的，是三人回国发展的探路者。回国前，他已经取得了绿卡，生活无忧。2015年，他作为先头部队回国考察，一个个越洋电话从梁辉南的手机打出去，电话那边的王荣华和高珺既高兴又着急。“产业报国，科技兴国。当时祖国在这个领域的发展很薄弱，回来不仅可以为祖国的发展贡献力量，自己的人生价值也能得到升华。”高珺说。
“国外再好终究不是家，我们决心很大，就是一定要回国创业。现在来看，这个选择是对的。”王荣华说。
大连半导体行业协会会长，原大连市经信委副主任唐忠德对三位博士回国创业的过程十分了解，对他们研究、掌握的成熟产业化技术给予高度评价。
“硅基氮化镓外延及功率器件的技术研发与投产，有助于我国第三代半导体产业化技术的弯道超车，为解决我国IT产业的核高基困境做出贡献。”唐忠德说。
王荣华博士（中）在车间内和两位工程师分析生产中遇到的问题（4月2日摄）。新华社记者 姚剑锋 摄
2016年3月，三位博士在大连高新区的帮助下引入4300万元社会资本，建立了大连芯冠科技有限公司。
2017年4月，首批国际领先的高质量6英寸650伏硅基氮化镓外延片产业化生产线在大连建成投产；2019年2月，首批国际领先的650伏硅基氮化镓功率器件在国内率先通过可靠性测试，并正式投放市场。
吉林大学电子科学与工程学院教授杜国同在评价该项目成功投产时说：“650伏硅基氮化镓外延片的研发和批量生产使很多电子器配件在电能转换应用中更加节能，也使我国在硅基氮化镓功率器件领域的产业化技术水平一跃成为国际领先。”
记者穿上洁净服，换上洁净鞋，戴上口罩和手套，走进700平方米的生产车间，只见十余名工程师正在生产线上忙碌。高珺告诉记者，别看生产线看起来高大上，但在这里工作却很辛苦。身着洁净服工作一天下来，皮肤很容易脱水，长时间的噪音环境也是一种考验。
三博士归国创业以来，大连高新区为项目落地实施提供了包括厂房、配套和补贴在内的多项扶持政策。“半导体产业投入产出周期较长，能迅速实现产业化，与政府方面大力扶持分不开。”高珺说。
王荣华在南京大学就读本科期间就开始关注氮化镓领域，近年来，他在国际顶级期刊上发表了30余篇论文，并参与了我国第三代半导体技术的路线图编写。在他看来，“这里的英特尔、德豪光电等大型半导体公司可以为项目的上下游和人才储备提供良好产业基础。”
目前，该项目一期工程已投资9000万元。按照规划，二期工程计划投资5.1亿元，将陆续建设占地100亩的现代化高科技厂区，其中包括5000平方米的超净厂房、3000平方米的厂务区和5000平方米的生活区。预计2021年全部达产后，将年产8万片6英寸硅基氮化镓外延片及1亿颗硅基氮化镓功率器件。
“到那时，不仅我们的工作环境和生活环境将得到进一步优化，我国硅基氮化镓功率器件研发与生产也会再上一个新的台阶。”高珺说。目前，公司正在聚焦规模化生产线的融资工作，预计2020年将实现规模化生产。
