国产MEMS加速度传感器突破关键技术获胜

    内容摘要：日前，由中国电子科技集团第13研究所研制的MEMS加速度传感器突破了高精度SOI工艺加工、圆片级可调阻尼封装、低功耗ASIC专用集成电路等关键技术，在国际招标项目中，一举战胜美国PCB公司和瑞士奇石乐等国际知名传感器厂商。

　　日前，由中国电子科技集团第13研究所研制的MEMS加速度传感器突破了高精度SOI工艺加工、圆片级可调阻尼封装、低功耗ASIC专用集成电路等关键技术，在国际招标项目中，一举战胜美国PCB公司和瑞士奇石乐等国际知名传感器厂商。这是国产MEMS加速度传感器首次在国际招标中获胜，标志着中国电科MEMS加速度传感器已达到国际先进产品水平。

　　MEMS加速度传感器具备高精度、高分辨率（分辨率优于10μg）、低噪声（13所2.5μg，国外同类产品约5μg）、低功耗、低温漂、抗过载和超小体积（体积是国外同类产品1/4）、重量小于1.2克（国外同类产品约10克）等技术特点，主要技术指标全面超越国外同类产品。