声电和磁电功能薄膜与器件”创新团队通过与中国电子科技集团公司第二十六研究所等单位合作,利用新开发的具有自主知识产权的中高频声表面波滤波器件的相关软件与设计技术平台,突破了声表面波滤波器基片和叉指换能器材料的制备技术,大大提升了我国声表面波技术领域在设计、材料、工艺、器件等方面的技术水平,打破了国外对移动通讯关键元器件技术、知识产权的垄断,研制出在移动通讯领域广泛使用的多种型号中频和射频(1.8GHz)声表面波滤波器,创造了显著的经济和社会效益。
该创新团队还通过对ZnO薄膜材料的研究,发现了掺杂调制ZnO薄膜压电性、磁性和阻变特性的一般规律,从理论上阐明了结构与性能的内在联系,研制出高压电特性(达到170pC/N)ZnO压电薄膜、高原子磁矩(6.1μB/Co)和高居里温度(790K)ZnO稀磁薄膜、高阻变窗口(107)的ZnO阻变薄膜,制备出中心频率达到4.2GHz的ZnO基声表面波滤波器,隧道磁电阻达46.8%的ZnO自旋电子器件和高速(擦写速度达到5ns)的ZnO阻变存储器,该研究成果达到国际先进水平,研制的新型ZnO材料与器件有望在新一代信息存储与处理领域获得重要应用,使我国在相关领域实现跨越式发展。
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