瑞萨推出导通电阻仅为150mΩ的600V耐压超结MOSFET

    　　瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150mΩ(栅源间电压为10V时的标称值)的600V耐压超结(SJ：SuperJunction)型功率MOSFET"RJL60S5系列"，将从2012年9月开始样品供货。超结是可在不牺牲耐压的情况下，降低导通电阻的功率MOSFET的元件构造。虽然其他竞争公司已经推出了采用这种构造的功率MOSFET，但据瑞萨电子介绍，"RJL60S5系列"在600V耐压产品中实现了业界最小水平的导通电阻。马达驱动电路和逆变器等采用RJL60S5系列功率MOSFET后，可以降低功耗，该产品主要面向空调等家电产品。

　　RJL60S5系列的栅源间电压为±30V，额定漏电流为20A。漏源间电压为25V时，反馈电容为13pF(标称值)。栅源间阈值电压的最小值为3V，最大值为5V。内置快恢复二极管(FRD：FastRecoveryDiode)，FRD的正向电压为0.96V。该产品将FRD的反向恢复时间缩短至150ns，约相当于瑞萨原来的SJ型功率MOSFET的约1/3，因此还可应用于高速马达驱动用途。

　　RJL60S5系列备有三种封装的产品，分别是采用TO-220EP封装的"RJL60S5DPP"，采用TO-3PSG封装的"RJL60S5DPK"，以及采用LDPAK封装的"RJL60S5DPE"。三款产品的样品价格均为200日元，将从2012年12月开始量产，量产规模方面，预定截至2013年3月达到月产50万个。