根据IBM近期所发布消息透露,研究人员在近年来发现相较于硅元素,碳元素所制成的电晶体管将具有更好的导电系数,同时还能一举突破硅元素本身在物理上的极限,IBM在近期则是成功制作出以碳元素为主的碳晶体管,并且让制程技术一举突破10nm的障碍,进而进展到更小的9nm制程,同时还能维持一定的 控制稳定性,并且可提供更好的电功耗表现,亦即透过相同的电力即可对应更好得效能表现,对于装置长时间运作也有相当助益。
不过,虽然公开旗下技术已经正式突破9nm制程,目前似乎还不会看见IBM将此向技术落实在旗下产品制作,毕竟现阶段仍处于需要调整、稳定的状态,或许之后将会相关技术应用的硬件产品问世,今后可能主要用于企业级处理器中。
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