瑞晶总经理陈正坤表示,瑞晶第1台浸润式机台将于本周正式到货,预计在9月之前会有5~6台浸润式机台进来,届时将加快转进45纳米制程的速度。
陈正坤进一步指出,三星电子(SamsungElectronics)这次在40纳米世代的技术再度超前,其实是台系DRAM厂和美日同业都遇到相同的瓶颈,其中大部分都是卡在浸润式机台递延交货之故。
根据DRAM业者透露,三星早在2009年初就开始预定浸润式机台,加上东芝(Toshiba)、台积电等半导体大厂在50纳米以下制程,也都需要浸润式机台,2009年台系DRAM厂因为财务缺口还身陷泥淖,现在面对机台递延的状况,只能无奈接受。
不过,瑞晶为了弥补45纳米制程进度递延,内部也决定将旗下8万片产能全数转进63纳米制程,原本内部计划只转一部分,另一部分要从65纳米直接跳45纳米,但依据现在情势发展,瑞晶已决定加速全转进63纳米制程,才能赶上下半年个人计算机(PC)传统旺季。
陈正坤表示,目前63纳米已开始大量投片,预计6月有30%产出会是63纳米制程产品,7月就会全线转进63纳米制程,等下半年浸润式机台陆续到位后,会再逐渐转进45纳米制程。
瑞晶原本计划在2010年底之前,旗下12寸晶圆厂8万片产能会全转转进45纳米制程,但因为浸润式机台交货的时间点比预期晚上2~3个月,因此内部经过评估,年底前8万片全转45纳米制程的目标无法达阵,将会递延1季,预计要到2011年第1季才会全转完。
此外,力晶下半年也将加入45纳米制程大战,但投片和量产的时间点大约会比瑞晶晚上1季。
在南亚科和华亚科阵营方面,则仍是预定下半年会转进42纳米制程,此技术是由美光(Micron)和南亚科共同研发。
再者,韩系大厂在40纳米世代制程进度上,仍是呈现领先态势,三星和海力士(Hynix)将分别转进46纳米和44纳米制程,下半年可望大量出货,但全球真正40纳米世代之战,时间点会是在2011年,届时登场的主流产品会是2Gb容量的DDR3芯片。
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