高耗电多晶硅生产线年内淘汰

　　工信部、发改委、环保部等联合制定的《多晶硅行业准入条件》3月1日正式发布，新准入条件要求年底前淘汰综合电耗大于200千瓦时/千克的太阳能级多晶硅生产线，并规定在环境条件要求高的区域周边1000米内不得新建多晶硅项目。

　　据工信部网站消息，准入条件对多晶硅项目建设条件提出标准，要求新建和改扩建项目投资中最低资本金比例不得低于30%，生产占地面积小于6公顷/千吨。在政府投资项目核准新目录出台前，新建多晶硅项目原则上不再批准。

　　对于太阳能级多晶硅项目，要求每期规模大于3000吨/年，还原电耗小于80千瓦时/千克，到2011年底前小于60千瓦时/千克。到2011年底前，淘汰综合电耗大于200千瓦时/千克的太阳能级多晶硅生产线。

　　对于半导体级多晶硅项目，要求规模大于1000吨/年，还原电耗小于100千瓦时/千克，半导体级区熔用多晶硅还原电耗小于120千瓦时/千克。

　　在环保措施方面，《准入条件》要求，在环境条件要求高的区域周边1000米内内或重点生态功能区内，不得新建多晶硅项目。对于未通过环评审批的新建和改扩建项目，一律不准开工建设；现有企业应定期实施清洁生产审核，两次审核间隔期不超过三年。对不符合要求的企业，不予核准和备案，金融机构不得提供贷款和授信支持。

　　据《上海证券报》报道，中投顾问首席能源分析师姜谦指出，目前国内的多晶硅厂商80%产能在几百吨规模左右，预计准入条件最终会使国内形成十家左右的多晶硅生产商。

　　中国可再生能源学会副理事长孟宪淦表示，根据准入条件，多晶硅的生产成本可能控制在30美元/千克左右，这与国际多晶硅平均生产成本已非常接近，将为光伏发电平价上网提供可能。