高功率白光LED的应用分析

　　藉由提高芯片面积来增加发光量
　　
　　期望改善白光LED的发光效率，目前有两大方向，就是提高LED芯片的面积，也就是说，将目前面积为1m㎡的小型芯片，将发光面积提高到10m㎡的以上，藉此增加发光量，或把几个小型芯片一起封装在同一个模块下。
　　
　　虽然，将LED芯片的面积予以大型化，藉此能够获得高多的亮度，但因过大的面积，在应用过程和结果上也会出现适得其反的现象。所以，针对这样的问题，部分LED业者就根据电极构造的改良，和覆晶的构造，在芯片表面进行改良，来达到50lm/W的发光效率。
　　
　　例如在白光LED覆晶封装的部分，由于发光层很接近封装的附近，发光层的光向外部散出时，因此电极不会被遮蔽的优点，但缺点就是所产生的热不容易消散。
　　
　　而并非进行芯片表面改善后，再加上增加芯片面积就绝对可以一口气提升亮度，因为当光从芯片内部向外散射时，芯片中这些改善的部分无法进行反射，所以在取光上会受到一点限制，根据计算，最佳发挥光效率的LED芯片尺寸是在7m㎡左右。
　　
　　利用封装数个小面积LED芯片快速提高发光效率
　　
　　和大面积LED芯片相比，利用小功率LED芯片封装成同一个模块，这样是能够较快达到高亮度的要求，例如，Citizen就将8个小型LED封装在一起，让模块的发光效率达到了60lm/W，堪称是业界的首例。
　　
　　但这样的做法也引发的一些疑虑，因为是将多颗LED封装在同一个模块上，所以在模块中必须置入一些绝缘材料，以免造成LED芯片间的短路情况发生，不过，如此一来就会增加了不少的成本。
　　
　　对此Citizen的解释是，事实上对于成本的影响幅度是相当小的，因为相较于整体的成本比例，这些绝缘材料仅不到百分之一，并因可以利用现有的材料来做绝缘应用，这些绝缘材料不需要重新开发，也不需要增加新的设备来因应。
　　
　　虽然Citizen的解释理论上是合理的，但是，对于较无经验的业者来说，这就是一项挑战，因为无论在良率、研发、生产工程上都是需要予以克服的。
　　
　　当然，还有其它方式可达到提高发光效率的目标，许多业者发现，在LED蓝宝石基板上制作出凹凸不平坦的结构，这样或许可以提高光输出量，所以，有逐渐朝向在芯片表面建立Texture或Photonics结晶的架构。
　　
　　例如德国的OSRAM就是以这样的架构开发出「ThinGaN」高亮度LED，OSRAM是在InGaN层上形成金属膜，之后再剥离蓝宝石。这样，金属膜就会产生映射的效果而获得更多的光线取出，而根据OSRAM的资料显示，这样的结构可以获得75％的光取出效率。
　　
　　当然，除了芯片的光取出方面需要做努力外，因为期望能够获得更高的光效率，在封装的部分也是必须做一些改善。事实上，每多增加一道的工程都会对光取出效率带来一些影响，不过，这并不代表著，因为封装的制程就一定会增加更高的光损失，就像日本OMROM所开发的平面光源技术，就能够大幅度的提升光取出效率，这样的结构OMROM是将LED所射出的光线，利用LENS光学系统以及反射光学系统来做控制的，所以OMROM称之为「Doublereflection光学系统」。
　　
　　利用这样的结构，可将传统炮弹型封装等的LED所造成的光损失，针对封装的广角度反射来获得更高的光效率，更进一步的是，在表面所形成的Mesh上进行加工，而形成双层的反射效果，这样的方式，事实上是可以得到不错的光取出效率控制的。因为这样的特殊设计，这些利用反射效果达到高光取出效率的LED，主要的用途是针对LCDTV背光所应用的。

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