日前，西安交通大学材料科学与工程学院先进陶瓷研究所博士生戴培赟在杨建锋教授指导下，用物理气相传输法成功制备出多晶致密碳化硅陶瓷材料，首次在不需添加烧结助剂的条件下获得了接近理论密度的纯碳化硅块体陶瓷材料，标志着西安交大在陶瓷研究方面获得重要进展。
据了解，此方法完全不同于现有的碳化硅陶瓷的制备工艺，获得的材料具有优异的性能，在军工、电子、机械等行业具有良好的应用前景，此技术已申请国家发明专利。
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